1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)

2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆， 被照到的地方就会容易被洗掉， 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意， 此时还没有加入杂质， 依然是一个硅晶圆. )

3、 离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质， 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)

4、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).

4、湿蚀刻(进一步洗掉，但是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻)—— 以上步骤完成后， 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次， 很可能需要反反复复的做，以达到要求。再然后等离子冲洗(用较弱的等离子束轰击整个芯片)

6、进行热处理，其中又分为：1.快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上， 然后慢慢地冷却下来， 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)

2、退火

3、热氧化 (制造出二氧化硅， 也即场效应管的栅极(gate) )

7、之后是化学气相淀积(CVD)，进一步精细处理表面的各种物质以及物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating还有分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要。

8、电镀处理再化学/机械表面处理

9、晶圆测试

10、晶圆打磨出厂封装