SK海力士公司今天宣布，其采用第4代10纳米工艺技术的1纳米DDR5服务器内存已在几天前推出的英特尔第4代至强可扩展CPU上得到验证。该验证在业界尚属首次。SK海力士的DDR5使用EUV或极紫外光刻工艺。

SK海力士与英特尔合作，在第4代至强可扩展处理器上接受1anmDDR5DRAM的初步验证

由于对更高性能内存模块的预期需求增加，新的英特尔第4代至强可扩展CPU有望成为行业的下一步，因此行业专家认为新一代内存将满足消费者的需求，并将成为行业标准在更短的时间内。

英特尔首次对其支持DDR5的最新处理器进行1anmDDR5兼容性验证具有里程碑意义。我们将通过已经量产的DDR5积极应对不断增长的服务器市场，寻求半导体存储器行业的快速转变。

—SK海力士

此外，SK海力士和英特尔还发布了一份涵盖DDR5内存的白皮书，展示了该技术的品质和1anmDDR5的记录性能。

在推出第四代英特尔至强可扩展处理器后，该公司与众多客户密切合作以更广泛地采用DDR5，并将加强其在不断增长的服务器市场中的领导地位。

SK海力士的DDR5凭借其独立的功率性能减少了碳排放。与其前身DDR4相比，新的DDR5将功耗降低了20%，并提供了70%的峰值提升性能。

英特尔公司内存和I/O技术副总裁DimitriosZiakas博士表示：“英特尔一直在与SK海力士、JEDEC和业界通力合作，将DDR5从最初的概念发展到可扩展、可靠的内存子系统。“我们最新处理器技术的核心。第4代英特尔至强可扩展处理器利用DDR5增强内存功能，为我们的数据中心客户提供跨越大量工作负载和应用程序所需的带宽、性能和扩展容量。”