参数如下，

产品型号：k4212

N沟道功率MOSFET

封装：SOT-252

品牌：NEC

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V)：25

夹断电压VGS(V)：±20

漏极电流Id(A)：48

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω)：0.0078 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V)：3

功率PD(W)：35

输入电容Ciss(PF)：1200 typ.

通道极性：N沟道

低频跨导gFS(s)：22

单脉冲雪崩能量EAS(mJ)：28.9

导通延迟时间Td(on)(ns)：16 typ.

上升时间Tr(ns)：14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns)：45 typ.

下降时间Tf(ns)：11 typ.

温度(℃)： -55 ~150